
Оголошення Насіння соняшника ЛАЙМ (стандарт)(2022 рік), ТМ "ВНІС", Україна продане і не бере участі в пошуку!
Схожі оголошення






Продано






1/3
Рік випуску:
2022
Місце розташування:
Україна
м. Київ7848 км від вас
Дата розміщення:
понад 1 місяць
Agronetto ID:
UF38807
Інформація:
Гібрид соняшника ЛАЙМХарактеристика Лайм - суперврожайний та стабільний гібрид для класичної технології вирощування. Забезпечує рекордну врожайність в своїй групі стиглості. Стійкий до нових рас вовчка соняшникового A-G+. Гібрид вирізняється високою адаптивністю до різних умов вирощування.Морфологічні та агрономічні властивості:Тип гібриду - Простий;Висота рослини - 150–155 см;Діаметр кошика - 20–22 см;Нахил кошика - Напівнахилений;
Гібрид соняшника ЛАЙМ
Характеристика
Лайм - суперврожайний та стабільний гібрид для класичної технології вирощування. Забезпечує рекордну врожайність в своїй групі стиглості. Стійкий до нових рас вовчка соняшникового A-G+. Гібрид вирізняється високою адаптивністю до різних умов вирощування.
Морфологічні та агрономічні властивості:
Тип гібриду - Простий;
Висота рослини - 150–155 см;
Діаметр кошика - 20–22 см;
Нахил кошика - Напівнахилений;
Форма кошика - Злегка випукла;
Рекомендована густота на час збирання (рослин/га):
Зона достатнього зволоження - 60–65 тис.
Зона недостатнього зволоження - 50–55 тис.
При листовому підживленні Соняшнику в критичні фази розвитку 4-6 пар листя, або через 3-5 днів після обробки гербіцидами, вносимо в бакову суміш NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1л/га і додаємо стимулятори росту 2л/га NEW PLANT NEO iQ .
У фазі формування кошика для відмінного наповнення та формування кошика, вносимо також NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1 л/га і додаємо 1-2 л/га New Plant UNI IQ, в баковій суміші разом з фунгіцидами та інсектицидами.
Гібрид соняшника ЛАЙМ
Характеристика
Технологія вирощування
Класична
Стійкість до вовчка
A- G +, 7 рас
Група стиглості
Ранньостиглий, 105 днів
Потенціал урожайності
5,8 т/га
Олійність
50–52%
Лайм - суперврожайний та стабільний гібрид для класичної технології вирощування. Забезпечує рекордну врожайність в своїй групі стиглості. Стійкий до нових рас вовчка соняшникового A-G+. Гібрид вирізняється високою адаптивністю до різних умов вирощування.
Морфологічні та агрономічні властивості:
Тип гібриду - Простий;
Висота рослини - 150–155 см;
Діаметр кошика - 20–22 см;
Нахил кошика - Напівнахилений;
Форма кошика - Злегка випукла;
Стійкість гібрида до
Полягання
8
Посухи
9
Осипання
9
Фомоз
8
Фомопсис
8
Іржа
10
Несправжня борошниста роса
9
Сіра гниль (ботритіс)
8
Біла гниль (склеротиніоз)
9
Рекомендована густота на час збирання (рослин/га):
Зона достатнього зволоження - 60–65 тис.
Зона недостатнього зволоження - 50–55 тис.
При листовому підживленні Соняшнику в критичні фази розвитку 4-6 пар листя, або через 3-5 днів після обробки гербіцидами, вносимо в бакову суміш NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1л/га і додаємо стимулятори росту 2л/га NEW PLANT NEO iQ .
У фазі формування кошика для відмінного наповнення та формування кошика, вносимо також NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1 л/га і додаємо 1-2 л/га New Plant UNI IQ, в баковій суміші разом з фунгіцидами та інсектицидами.
Культура: Соняшник
Тип продукції: Посівний (насіння)
Сорт/Гібрид: Гібрид
Класс семян: 1-й клас
ГМО: Ні
Група стиглості: Ранньостигла
Сезонність: Ярова культура
Країна виробник: Україна
Тривалість життя: Однорічні
Тип вирощування: Польові
Строки дозрівання: 100 дн
Упаковка: Мішок
Солонечник: ВНІС
Характеристика
Лайм - суперврожайний та стабільний гібрид для класичної технології вирощування. Забезпечує рекордну врожайність в своїй групі стиглості. Стійкий до нових рас вовчка соняшникового A-G+. Гібрид вирізняється високою адаптивністю до різних умов вирощування.
Морфологічні та агрономічні властивості:
Тип гібриду - Простий;
Висота рослини - 150–155 см;
Діаметр кошика - 20–22 см;
Нахил кошика - Напівнахилений;
Форма кошика - Злегка випукла;
Рекомендована густота на час збирання (рослин/га):
Зона достатнього зволоження - 60–65 тис.
Зона недостатнього зволоження - 50–55 тис.
При листовому підживленні Соняшнику в критичні фази розвитку 4-6 пар листя, або через 3-5 днів після обробки гербіцидами, вносимо в бакову суміш NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1л/га і додаємо стимулятори росту 2л/га NEW PLANT NEO iQ .
У фазі формування кошика для відмінного наповнення та формування кошика, вносимо також NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1 л/га і додаємо 1-2 л/га New Plant UNI IQ, в баковій суміші разом з фунгіцидами та інсектицидами.
Гібрид соняшника ЛАЙМ
Характеристика
Технологія вирощування
Класична
Стійкість до вовчка
A- G +, 7 рас
Група стиглості
Ранньостиглий, 105 днів
Потенціал урожайності
5,8 т/га
Олійність
50–52%
Лайм - суперврожайний та стабільний гібрид для класичної технології вирощування. Забезпечує рекордну врожайність в своїй групі стиглості. Стійкий до нових рас вовчка соняшникового A-G+. Гібрид вирізняється високою адаптивністю до різних умов вирощування.
Морфологічні та агрономічні властивості:
Тип гібриду - Простий;
Висота рослини - 150–155 см;
Діаметр кошика - 20–22 см;
Нахил кошика - Напівнахилений;
Форма кошика - Злегка випукла;
Стійкість гібрида до
Полягання
8
Посухи
9
Осипання
9
Фомоз
8
Фомопсис
8
Іржа
10
Несправжня борошниста роса
9
Сіра гниль (ботритіс)
8
Біла гниль (склеротиніоз)
9
Рекомендована густота на час збирання (рослин/га):
Зона достатнього зволоження - 60–65 тис.
Зона недостатнього зволоження - 50–55 тис.
При листовому підживленні Соняшнику в критичні фази розвитку 4-6 пар листя, або через 3-5 днів після обробки гербіцидами, вносимо в бакову суміш NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1л/га і додаємо стимулятори росту 2л/га NEW PLANT NEO iQ .
У фазі формування кошика для відмінного наповнення та формування кошика, вносимо також NEW PLANT BOR 150 IQ в нормі 1 л/га і додаємо 1-2 л/га New Plant UNI IQ, в баковій суміші разом з фунгіцидами та інсектицидами.
Культура: Соняшник
Тип продукції: Посівний (насіння)
Сорт/Гібрид: Гібрид
Класс семян: 1-й клас
ГМО: Ні
Група стиглості: Ранньостигла
Сезонність: Ярова культура
Країна виробник: Україна
Тривалість життя: Однорічні
Тип вирощування: Польові
Строки дозрівання: 100 дн
Упаковка: Мішок
Солонечник: ВНІС
Показати повністю